IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

結果: 13
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900庫存量
帶狀裁切
NT$465.33
NT$263.50
NT$259.91
NT$246.29
捲
NT$246.29
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263 894庫存量
帶狀裁切
NT$279.99
NT$189.65
NT$138.38
捲
NT$124.76
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L 870庫存量
帶狀裁切
NT$319.78
NT$174.59
NT$160.61
NT$148.78
捲
NT$148.78
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L 900庫存量
帶狀裁切
NT$387.18
NT$215.10
NT$204.70
NT$191.44
捲
NT$191.44
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 813庫存量
帶狀裁切
NT$427.33
NT$281.42
NT$254.18
NT$231.23
捲
NT$211.87
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2,084庫存量
帶狀裁切
NT$465.33
NT$263.50
NT$259.91
NT$243.06
捲
NT$243.06
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TOLL 2,095庫存量
帶狀裁切
NT$316.20
NT$172.44
NT$158.46
NT$156.66
NT$148.42
捲
NT$148.42
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TOLL 2,090庫存量
帶狀裁切
NT$382.52
NT$212.59
NT$201.48
NT$190.72
捲
NT$190.72
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 520庫存量
NT$473.94
NT$268.88
NT$249.16
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET TO247 1200V N CH 20A 542庫存量
帶狀裁切
NT$266.72
NT$143.04
NT$116.87
捲
NT$116.87
最少: 1
倍數: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550庫存量
NT$324.80
NT$177.46
NT$153.80
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550庫存量
NT$390.05
NT$268.88
NT$195.38
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 537庫存量
帶狀裁切
NT$436.29
NT$281.78
NT$261.35
捲
NT$228.01
NT$217.97
最少: 1
倍數: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement