GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
規格書
2,470庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
規格書
1,369庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
規格書
2,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7"
規格書
2,493庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
規格書
2,468庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 650V, 11A, N-Channel GaN FET
規格書
2,102庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 650V, 17A, N-Channel GaN FET
規格書
2,438庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion