NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 1763.46 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NVXK2TR80WDT

製造商編號：

NVXK2TR80WDT

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

規格書:

NVXK2TR80WDT 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	APM-32
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	4 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	20 A
Rds On - 漏-源電阻:	116 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.3 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	82 W
系列:	NVXK2TR80WDT
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
配置:	Dual Half-Bridge
下降時間:	9 ns
高度:	5.8 mm
長度:	44.2 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	12 ns
原廠包裝數量:	60
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EliteSiC
類型:	Half-Bridge
標準開啟延遲時間:	12 ns
寬度:	29 mm

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NVXK2TR80WDT 規格書

Material Composition Disclosure

合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.