ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs feature VDS voltages of 150V, 200V, and 250V in N-Channel polarity types. Package types include the TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263, and TO-220AB. The PowerPAK SO-8 packages achieve the best Rds, Qg, and Qoss by minimizing the package resistance and parasitic inductance. The SIR692DP 250V figure-of-merit (FOM) is 42% lower than prior generations. Applications for Vishay / Siliconix ThunderFET 150V to 250V MOSFETs include synchronous rectification, DC/DC converters, DC/AC inverters, and power supplies.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
規格書
2,975庫存量
6,000預期2026/9/10
最少： 1
倍數： 1
最大： 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 29 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 69.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
規格書
2,546庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
規格書
產品評論
342庫存量
8,000預期2026/8/17
最少： 1
倍數： 1
最大： 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 37.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
規格書
378庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
規格書
35,990在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 250 V 24.2 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel