TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

結果: 29
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
規格書
20,800預期2027/9/27
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET PPAK1212 N-CH 80V 16.9A
規格書
6,000預期2028/1/14
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 58.1 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V
規格書
15,000預期2027/5/20
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
規格書
12,000在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel