S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.

結果: 102
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
系列
存儲容量
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
有源讀取電流 - 最大
接口類型
組織
數據匯流排寬度
計時類型
最低工作溫度
最高工作溫度
資格
封裝
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 910
倍數： 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 910
倍數： 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Ser NOR快閃記憶體 Memory 20
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,600
倍數： 2,600

LAE-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Ser NOR快閃記憶體 Memory 20
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1
: 2,200

SMD/SMT LAE-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 1G 3V 110ns Parallel NOR快閃記憶體
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 455
倍數： 455

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 1G 3V 120ns Parallel NOR快閃記憶體
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,600
倍數： 2,600

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 1G 3V 120ns Parallel NOR快閃記憶體
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 182
倍數： 182

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S29GL01GS10DHA023
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHI023
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1
: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel, Cut Tape
Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS13
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS23
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS33
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS43
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FAI013
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FAI023
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHI013
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHI023
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS13
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS23
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS33
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS43
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10TFI013
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10TFI023
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel