IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
規格書
2,707庫存量
NT$91.42
NT$44.81
NT$40.15
NT$32.12
檢視
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8.2 mOhms 20 V 2.7 V 55 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
規格書
4,655庫存量
帶狀裁切
NT$83.89
NT$43.38
NT$36.93
NT$29.22
捲
NT$25.06
NT$24.84
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
規格書
121庫存量
75,041在途量
帶狀裁切
NT$103.61
NT$51.27
NT$46.25
NT$41.23
捲
NT$33.38
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
規格書
32,800預期2026/12/3
NT$83.17
NT$40.15
NT$33.91
NT$28.00
NT$27.96
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube