NVB190N65S3F

onsemi
863-NVB190N65S3F
NVB190N65S3F

製造商：

說明：
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
SuperFET III
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 3 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 13 ns
系列: SuperFET3
原廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 43 ns
標準開啟延遲時間: 19 ns
每件重量: 4 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
大韓民國
出貨時，國家可能會有所變更。

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFET是高電壓超級結(SJ)N通道MOSFET，設計用於滿足電訊、伺服器、電動汽車 (EV) 充電器及太陽能產品的高功率密度、系統效率及出色的可靠性要求。這些裝置融合一流可靠性、低EMI、卓越效率及卓越的熱性能，使它們成為高性能應用的理想選擇。憑藉其性能特性， SuperFET III MOSFET提供的廣泛封裝選項可為產品設計師提供高度靈活性，特別是尺寸受限的設計。

SUPERFET III® 650V N-Channel MOSFET

onsemi SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFET is ideal for various power systems for miniaturization and higher efficiency. The device utilizes charge balance technology for low on-resistance and lower gate-charge performance. The technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFETs are ideal for automotive onboard chargers and DC/DC converters for hybrid electric vehicles.

庫存量: 1,505

庫存：
1,505 可立即送貨
工廠前置作業時間：
10 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個800）

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
NT$195.38 NT$195.38
NT$101.81 NT$1,018.10
NT$92.85 NT$9,285.00
NT$81.02 NT$40,510.00
完整捲（訂購多個800）
NT$77.79 NT$62,232.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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