QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

結果: 34
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
最大工作頻率
最低工作頻率
技術
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 100
倍數： 100

NI-360 N-Channel 3.5 GHz GaN
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 100
倍數： 100

6 GHz 0 Hz GaN
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
規格書
產品評論
前置作業時間 20 週
最少： 50
倍數： 50

Die N-Channel 18 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
規格書
產品評論

Die N-Channel GaN-on-SiC
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
規格書
產品評論

Die N-Channel GaN-on-SiC
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
規格書

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W 3.5 GHz 0 Hz GaN
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
規格書
產品評論
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 5
倍數： 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W 25 GHz 0 Hz GaN
Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
規格書

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W 12 GHz 0 Hz GaN
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
規格書

NI-650 N-Channel 3.5 GHz GaN