18 GHz 半導體

結果: 15
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100庫存量
NT$2,120.53
最少: 100
倍數: 100
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Analog Devices 預定標器 nGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz
38庫存量
NT$1,871.37
NT$1,529.72
NT$1,444.04
NT$1,403.89
最少: 1
倍數: 1

MACOM PIN二極體 CW=3Watts Recovery time 15ns
400庫存量
NT$206.50
NT$200.40
NT$190.72
最少: 100
倍數: 100
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Analog Devices 預定標器 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz
518庫存量
帶狀裁切
NT$1,557.32
NT$1,305.66
NT$1,233.96
NT$1,167.28
NT$1,128.20
NT$1,128.20
最少: 1
倍數: 1
最大: 414
: 500
MACOM PIN二極體 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2,620庫存量
帶狀裁切
NT$418.73
NT$317.27
NT$264.57
NT$235.53
NT$220.48
NT$220.48
最少: 1
倍數: 1
: 3,000
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 725庫存量
帶狀裁切
NT$3,228.29
NT$2,590.16
NT$2,344.59
NT$2,344.59
最少: 1
倍數: 1
: 250
Analog Devices 預定標器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz
236庫存量
NT$1,696.78
NT$1,456.23
NT$1,378.79
NT$1,313.19
最少: 1
倍數: 1
最大: 228
Analog Devices 預定標器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz
184庫存量
帶狀裁切
NT$1,567.72
NT$1,316.05
NT$1,244.35
NT$1,177.67
NT$1,177.67
最少: 1
倍數: 1
最大: 179
Analog Devices 預定標器 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz
319庫存量
NT$1,570.59
NT$1,283.43
NT$1,211.73
NT$1,178.03
NT$1,153.65
最少: 1
倍數: 1
最大: 255
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
無庫存前置作業時間 16 週
NT$2,053.49
NT$2,046.68
最少: 50
倍數: 50
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
無庫存前置作業時間 26 週
NT$2,251.38
最少: 200
倍數: 10
Microchip Technology PIN二極體 Si Limiter Hermetic Microstrip 無庫存前置作業時間 20 週
NT$5,883.34
最少: 5
倍數: 5
MACOM MA4L011-134
MACOM PIN二極體 Diode,Pin,Chip,Oxide
無庫存前置作業時間 30 週
NT$228.72
NT$215.46
NT$193.23
最少: 100
倍數: 100