8 Gbit 半導體

半導體的類型
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結果: 157
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS
ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
規格書
8,568在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
規格書
8,656在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
1,088在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
規格書
952在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
規格書
3,371在途量
最少： 1
倍數： 1
Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ INDUSTRIAL TEMP B Die(MT41K512M16HA-125IT:A),
規格書
720預期2026/9/24
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
規格書
1,496在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
規格書
3,575在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
408在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
136預期2026/12/14
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
規格書
112在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
規格書
126在途量
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
規格書
272預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
規格書
128在途量
最少： 1
倍數： 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 220
倍數： 220

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 960
倍數： 960
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 2,100
倍數： 2,100
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 960
倍數： 960
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 960
倍數： 960
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 2,100
倍數： 2,100
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 960
倍數： 960
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp
規格書
N/A
最少： 1
倍數： 1

Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1