IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BL100B1LIT
Price: 157.02 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

870-WVH8M8BL100B1LIT

製造商編號：

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

製造商：

ISSI

說明：

DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

規格書:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR 規格書 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ISSI
產品類型:	DRAM
RoHS:
類型:	HyperRAM
封裝/外殼:	FBGA-24
系列:	IS66WVH8M8BLL
封裝:	Reel
品牌:	ISSI
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
產品類型:	DRAM
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Memory & Data Storage
公司名稱:	HyperRAM

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規格書

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR 規格書 (PDF)

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合規守則

CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國台灣
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 中國台灣

出貨時，國家可能會有所變更。

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.