|
|
RF放大器 DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
- CMPA601C025D
- MACOM
-
1:
NT$59,312.75
-
5庫存量
|
Mouser 元件編號
941-CMPA601C025D
|
MACOM
|
RF放大器 DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
|
|
5庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
NT$40,390.40
-
9庫存量
|
Mouser 元件編號
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
氮化鎵場效應管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9庫存量
|
|
|
NT$40,390.40
|
|
|
NT$40,390.40
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
50
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
NT$5,051.98
-
17庫存量
|
Mouser 元件編號
941-GTVA262711FAV2R0
|
MACOM
|
氮化鎵場效應管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
17庫存量
|
|
|
NT$5,051.98
|
|
|
NT$4,068.98
|
|
|
NT$4,068.98
|
|
|
NT$3,912.67
|
|
|
檢視
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
50
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
- T2G6003028-FS
- Qorvo
-
1:
NT$28,400.37
-
15庫存量
|
Mouser 元件編號
772-T2G6003028-FS
|
Qorvo
|
氮化鎵場效應管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
|
|
15庫存量
|
|
|
NT$28,400.37
|
|
|
NT$28,119.31
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
AC/DC轉換器 45 W (85-265 VAC)
- INN3878C-H801-TL
- Power Integrations
-
1:
NT$154.87
-
1,933庫存量
|
Mouser 元件編號
869-INN3878C-H801-TL
|
Power Integrations
|
AC/DC轉換器 45 W (85-265 VAC)
|
|
1,933庫存量
|
|
|
NT$154.87
|
|
|
NT$132.29
|
|
|
NT$121.53
|
|
|
NT$109.70
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$97.15
|
|
|
NT$103.97
|
|
|
NT$103.25
|
|
|
NT$97.15
|
|
|
NT$97.15
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
AC/DC轉換器 90 W (85-265 VAC)
- INN4075C-H183-TL
- Power Integrations
-
1:
NT$155.95
-
1,785庫存量
|
Mouser 元件編號
869-INN4075C-H183-TL
|
Power Integrations
|
AC/DC轉換器 90 W (85-265 VAC)
|
|
1,785庫存量
|
|
|
NT$155.95
|
|
|
NT$117.59
|
|
|
NT$107.91
|
|
|
NT$97.51
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$86.40
|
|
|
NT$92.49
|
|
|
NT$91.78
|
|
|
NT$86.40
|
|
|
NT$86.40
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V
|
Mouser 元件編號
941-CGH31240F
|
MACOM
|
氮化鎵場效應管 Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
- CGHV1J025D-GP4
- MACOM
-
受限供貨情況
|
Mouser 元件編號
941-CGHV1J025D
|
MACOM
|
氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
|
|
|
|
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362002FC-V1-R0
- MACOM
-
受限供貨情況
|
Mouser 元件編號
941-GTRA362002FCV1R0
|
MACOM
|
氮化鎵場效應管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RF放大器 8W Reconfigurable S/X-Band PA
- QPA0004TR7
- Qorvo
-
1:
NT$8,357.35
-
25庫存量
|
Mouser 元件編號
772-QPA0004TR7
|
Qorvo
|
RF放大器 8W Reconfigurable S/X-Band PA
|
|
25庫存量
|
|
|
NT$8,357.35
|
|
|
NT$8,355.20
|
|
|
NT$6,898.97
|
|
|
NT$6,898.97
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
250
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
NT$7,364.31
-
53庫存量
|
Mouser 元件編號
941-GTVA262701FAV2R0
|
MACOM
|
氮化鎵場效應管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
53庫存量
|
|
|
NT$7,364.31
|
|
|
NT$6,218.54
|
|
|
NT$6,218.54
|
|
|
檢視
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
50
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
NT$357.07
-
337庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT070R70HTO
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
337庫存量
|
|
|
NT$357.07
|
|
|
NT$196.82
|
|
|
NT$183.91
|
|
|
NT$150.21
|
|
|
NT$149.85
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,800
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
NT$245.57
-
688庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT080R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
688庫存量
|
|
|
NT$245.57
|
|
|
NT$165.27
|
|
|
NT$119.74
|
|
|
NT$112.21
|
|
|
NT$97.51
|
|
|
NT$91.42
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
NT$234.82
-
779庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT105R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
779庫存量
|
|
|
NT$234.82
|
|
|
NT$182.48
|
|
|
NT$138.02
|
|
|
NT$133.36
|
|
|
NT$97.15
|
|
|
NT$82.10
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
閘極驅動器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG612QTR
- STMicroelectronics
-
1:
NT$137.31
-
781庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-STDRIVEG612QTR
新產品
|
STMicroelectronics
|
閘極驅動器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
781庫存量
|
|
|
NT$137.31
|
|
|
NT$103.61
|
|
|
NT$95.36
|
|
|
NT$86.04
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$72.42
|
|
|
NT$81.38
|
|
|
NT$81.02
|
|
|
NT$76.36
|
|
|
NT$72.42
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
RF放大器 1-22GHz 15W PA
- ADPA1112AEJZ
- Analog Devices
-
1:
NT$43,263.42
-
10庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
584-ADPA1112AEJZ
新產品
|
Analog Devices
|
RF放大器 1-22GHz 15W PA
|
|
10庫存量
|
|
最少： 1
倍數： 1
最大： 5
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
NT$149.85
-
2,139庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
65-EPC2090
新產品
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
2,139庫存量
|
|
|
NT$149.85
|
|
|
NT$98.59
|
|
|
NT$69.19
|
|
|
NT$58.08
|
|
|
NT$52.34
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$56.64
|
|
|
NT$50.19
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
NT$348.82
-
900庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
65-EPC2091
新產品
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
900庫存量
|
|
|
NT$348.82
|
|
|
NT$239.12
|
|
|
NT$179.61
|
|
|
NT$178.89
|
|
|
NT$162.40
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R140D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$102.89
-
2,056庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGD70R140D2SAUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,056庫存量
|
|
|
NT$102.89
|
|
|
NT$50.91
|
|
|
NT$45.89
|
|
|
NT$36.93
|
|
|
NT$35.49
|
|
|
NT$32.66
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R200D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$86.40
-
2,182庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGD70R200D2SAUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,182庫存量
|
|
|
NT$86.40
|
|
|
NT$55.57
|
|
|
NT$37.64
|
|
|
NT$30.04
|
|
|
NT$24.92
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$27.60
|
|
|
NT$22.48
|
|
|
NT$22.12
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R500D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$67.40
-
3,571庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGD70R500D2SAUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
3,571庫存量
|
|
|
NT$67.40
|
|
|
NT$43.02
|
|
|
NT$28.68
|
|
|
NT$22.66
|
|
|
NT$19.14
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$20.72
|
|
|
NT$16.60
|
|
|
NT$15.52
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Drive HB 600 V G5
- IGI60L1111B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$243.42
-
2,393庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L1111B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Drive HB 600 V G5
|
|
2,393庫存量
|
|
|
NT$243.42
|
|
|
NT$173.51
|
|
|
NT$166.70
|
|
|
NT$145.55
|
|
|
NT$128.70
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L1414B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$292.54
-
2,646庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L1414B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,646庫存量
|
|
|
NT$292.54
|
|
|
NT$198.61
|
|
|
NT$145.55
|
|
|
NT$143.04
|
|
|
NT$131.21
|
|
|
NT$116.51
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$166.34
-
2,667庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L2727B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,667庫存量
|
|
|
NT$166.34
|
|
|
NT$116.87
|
|
|
NT$100.38
|
|
|
NT$97.51
|
|
|
檢視
|
|
|
NT$93.93
|
|
|
NT$94.64
|
|
|
NT$93.93
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
NT$130.49
-
2,353庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L5050B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,353庫存量
|
|
|
NT$130.49
|
|
|
NT$90.34
|
|
|
NT$77.44
|
|
|
NT$74.93
|
|
|
NT$72.78
|
|
|
NT$64.17
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
臺灣
