PowerSaver 半導體

半導體的類型

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 300
倍數: 300

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 300
倍數: 300

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 240
倍數: 240

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 240
倍數: 240

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 300
倍數: 300

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 300
倍數: 300

ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI IS62WV102416DBLL-45TLI-TR
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI IS61WV102416DBLL-10BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI IS61WV102416DBLL-10TLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

ISSI IS62WV25616EALL-55BLI-TR
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI IS62WV25616EALL-55TLI-TR
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

ISSI IS62WV25616EALL-55BLI
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16, 55ns,1.65-2.2v,mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 暫無庫存
最少: 480
倍數: 480
: 480