ISSI 記憶體 IC

結果: 2,945
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品 產品類型 安裝風格 封裝/外殼 存儲容量 接口類型

ISSI NOR快閃 128M 2.3-3.6V 166MHz Serial Flash
9,000預期2026/11/16
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 128 Mbit SPI
ISSI NOR快閃 256M 3V 166MHZ Serial Flash
6,950預期2026/11/6
最少: 1
倍數: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 256 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR快閃 256M 3V 166MHZ Serial Flash
14,421在途量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 256 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR快閃 256Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS, T&R
7,905在途量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 256 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR快閃 2Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die
1,622在途量
最少: 1
倍數: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NOR快閃 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, T&R
8,731預期2026/10/14
最少: 1
倍數: 1
: 4,500

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 128 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR快閃 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp
2,495預期2027/1/18
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 256 Mbit Parallel
ISSI NAND快閃 2G 3.3V x8 1-bit NAND快閃 I-Temp
1,500在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz
5,832在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz
3,672在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz
4,968在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz
4,752在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
8,716在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT
4,662在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
12,096在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
8,113在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI DRAM SDRAM,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
5,153在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
4,635在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
3,833在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088預期2027/7/21
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
952在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
3,371在途量
最少: 1
倍數: 1
DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
1,118預期2027/7/30
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit

ISSI 新通用閃存儲存-UFS 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin & WP#, TR
7,500預期2027/2/16
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Flash Memory Universal Flash Storage (UFS) SMD/SMT TFBGA-24 512 Mb QPI
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
6,000預期2026/11/13
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit