ISSI 記憶體 IC

結果: 2,945
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品
產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
7,498在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
14,293預期2027/3/15
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 64 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
規格書
11,000在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
規格書
18,278在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
規格書
4,452在途量
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI IS61WV204816BLL-10TLI
ISSI SRAM 32Mb High-Speed Async 2Mbx16 10ns
規格書
3,840在途量
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-48 32 Mbit Parallel
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
規格書
1,496在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
規格書
3,575在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 8 Gbit
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
680在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 16 Gbit

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
1,930在途量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
1,755預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
規格書
1,918預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT BGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
規格書
471預期2026/8/25
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
規格書
395預期2026/8/24
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI NOR快閃 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
規格書
8,580在途量
最少： 1
倍數： 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI NOR快閃 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS, T&R
規格書
24,928在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI IS43LQ32256B-062BLI
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
680預期2027/5/3
最少： 1
倍數： 1

DRAM
ISSI IS43LR16128B-5BLI-TR
ISSI DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
規格書
1,995預期2027/6/28
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
408在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI IS46TR16256ECL-125LB2LA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L w/ ECC,256Mx16, 1600MT/s at 12-11-11, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
規格書
460在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI IS46QR16512A-083TBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
791預期2027/2/15
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
規格書
916在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
規格書
540預期2026/8/20
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
190在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
規格書
950在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit