Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

結果: 41
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 封裝/外殼
接口類型
存儲容量
組織
數據匯流排寬度
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
運作供電電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM
規格書
5庫存量
216預期2026/10/14
最少： 1
倍數： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
規格書
1,140預期2026/12/2
最少： 1
倍數： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
規格書
1,620預期2026/9/16
最少： 1
倍數： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
規格書
252預期2026/9/9
最少： 1
倍數： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 696
倍數： 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 696
倍數： 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 270
倍數： 135

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4,000
倍數： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4,000
倍數： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,140
倍數： 570

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4,000
倍數： 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel