SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

結果: 2,420
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
最高時鐘頻率
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
封裝
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
規格書
139庫存量
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
規格書
36庫存量
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 235 mA, 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
規格書
2庫存量
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
規格書
18庫存量
最少： 1
倍數： 1
否
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

288 Mbit 8 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 560 mA, 840 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
規格書
2庫存量
最少： 1
倍數： 1

72 Mbit 1 M x 72 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 540 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
規格書
37庫存量
最少： 1
倍數： 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
規格書
1,364在途量
最少： 1
倍數： 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
36預期2026/8/25
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
規格書
42預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
36預期2026/8/25
最少： 1
倍數： 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 15
倍數： 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
規格書
無庫存前置作業時間 3 週
最少： 10
倍數： 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
無庫存前置作業時間 3 週
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 10
倍數： 10

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 16M x 18 288M
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 10
倍數： 10

288 Mbit 8 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 460 mA, 510 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 1
倍數： 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 1
倍數： 1

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 18
倍數： 18

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 220 mA, 270 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
規格書
無庫存前置作業時間 3 週
最少： 1
倍數： 1
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 14
倍數： 14
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray