SMD/SMT DRAM

結果: 1,957
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
規格書
1,499在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
209在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT
規格書
324在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
規格書
1,294在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
1,200在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
規格書
996在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
規格書
1,296在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
規格書
385在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
432預期2027/7/28
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
規格書
1,512在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F
ISSI DRAM 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile SDRAM
規格書
348在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS
規格書
1,330在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel
ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16, IT
規格書
209在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 128 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16128C Reel
ISSI DRAM 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
規格書
3,762在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320E
ISSI DRAM 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
規格書
418預期2027/8/20
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320E
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
規格書
203在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32320C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
131在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
136預期2026/12/14
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
規格書
570在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
規格書
112在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
規格書
126在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
規格書
272預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
456預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
209預期2027/2/17
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 512 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR85120BL
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3
規格書
190預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128D Tray