SMD/SMT DRAM

結果: 1,957
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
1,920在途量
最少： 1
倍數： 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS43LR16640C-5BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
規格書
280在途量
最少： 1
倍數： 1

BGA-60
ISSI IS43LR16640C-6BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
規格書
300預期2027/8/11
最少： 1
倍數： 1

BGA-60
ISSI IS46QR16512A-075VBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
136預期2026/12/16
最少： 1
倍數： 1

BGA-96
Alliance Memory AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 128M X 16, 1.2V, 134ball BGA A-DIE INDUSTRIAL TEMP - Tray
規格書
121預期2026/9/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M16MD2A-25 Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS
規格書
108預期2026/9/8
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
230預期2027/8/11
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
規格書
242預期2026/10/12
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
規格書
10在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128CL Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
規格書
108預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16160J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
規格書
348在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
190預期2027/7/22
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16160F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
規格書
216預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
108預期2026/8/26
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
108在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
239在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
200預期2027/3/19
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 64M x 8 COM TEMP
規格書
108在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C MT48LC Tray
ISSI IS46TR16640C-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
規格書
190預期2027/8/10
最少： 1
倍數： 1

BGA-96
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,090
倍數： 2,090

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 128 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM1G16D2 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 120
倍數： 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray