Tray DRAM

結果: 919
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Winbond W632GU6RB-11
Winbond DRAM 2Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz
規格書
58庫存量
396預期2026/8/13
最少： 1
倍數： 1

Tray
Winbond W9864G6KT-6
Winbond DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
規格書
199庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
ISSI DRAM 4M,3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns
規格書
129庫存量
最少： 1
倍數： 1

EDO DRAM 4 Mbit 16 bit TSOP-II-40 256 k x 16 35 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16256C Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP
規格書
5庫存量
120在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C AS4C Tray
ISSI DRAM 128M 4Mx32 143MHz SDR SDRAM 3.3v
規格書
319庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32400F Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 64Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60
規格書
63庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4,4Gb,256Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
規格書
544預期2026/9/29
最少： 1
倍數： 1

LPDDR4 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
規格書
418預期2026/8/20
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IM8G16D4 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
規格書
288預期2026/8/20
最少： 1
倍數： 1

LPDDR4or4x Combo Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
規格書
288預期2026/8/20
最少： 1
倍數： 1

LPDDR4or4x Combo Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
規格書
72庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
8,590在途量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
14,300在途量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 60-BALL BGA, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 1 Gbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 64 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4, 2G, 128M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4, 4G, 256M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM
規格書
261庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz WBGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial
規格書
131預期2026/9/28
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 85 C KTDM Tray
Kingston DRAM 96 ball FBGA DDR4 3200 (NY C)
規格書
100預期2026/8/19
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gb 3.2 Gb/s FBGA-96 512 M x 16 1.14 1.26 V 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
319預期2026/9/7
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
規格書
450預期2026/9/7
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 667 MHz FBGA-96 64 M x 16 300 ps 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G16D3 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
121預期2026/8/20
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
規格書
216預期2026/10/21
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5116SD Tray