200 MHz SRAM

結果: 1,206
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free 121庫存量
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI IS66WVO32M8DALL-200BLI
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 845庫存量
最少: 1
倍數: 1

256 Mbit 32 M x 8 5 ns 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M 1庫存量
最少: 1
倍數: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 235 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 37庫存量
最少: 1
倍數: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3v/2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 72庫存量
最少: 1
倍數: 1

36 Mbit 1 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 140庫存量
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 365庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 18Mb 200MHz, 3.3V or 2.5V 1Mx18 Sync SRA 7庫存量
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS 19庫存量
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 25庫存量
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
1,319在途量
最少: 1
倍數: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
ISSI SRAM 18M (512Kx36) 200MHz Sync SRAM 2.5v 6庫存量
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 262庫存量
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 2 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
47預期2026/9/29
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
4預期2026/9/1
最少: 1
倍數: 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
42預期2026/9/1
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 429庫存量
最少: 1
倍數: 1

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive
380預期2026/9/3
最少: 1
倍數: 1

256 Mb 32 M x 8 200 MHz OPI 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
144預期2026/9/7
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 無庫存前置作業時間 5 週
最少: 1
倍數: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 15
倍數: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 16M x 18 288M 無庫存前置作業時間 5 週
最少: 1
倍數: 1

288 Mbit 8 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 460 mA, 510 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1

288 Mbit 16 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 410 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 無庫存前置作業時間 4 週
最少: 1
倍數: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 無庫存前置作業時間 4 週
最少: 1
倍數: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray