Tray SRAM

結果: 9,518
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 資格 封裝
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
168預期2027/2/18
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 512 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT PBGA-119 Tray
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
54預期2026/12/14
最少: 1
倍數: 1

512 kbit 32 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
106預期2027/1/11
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
37預期2026/9/11
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 32 k x 36 5 ns Parallel 3.45 V 3.15 V 415 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M
46預期2026/11/30
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
441預期2026/11/26
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
401在途量
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
196預期2026/11/13
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36預期2026/8/25
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
36預期2026/8/12
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
4預期2026/8/25
最少: 1
倍數: 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
42預期2026/8/28
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
41預期2026/9/11
最少: 1
倍數: 1
1 Mbit 32 k x 36 6 ns 133 MHz 3.45 V 3.15 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM
40預期2026/12/21
最少: 1
倍數: 1
2 Mbit 64 k x 36 25 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies CY7C1461KV33-133AXI
Infineon Technologies SRAM No Bus Latency(NoBL) Burst SRAM
72預期2026/9/17
最少: 1
倍數: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7C4142KV13-933FCXI
Infineon Technologies SRAM SYNC
39預期2026/12/24
最少: 1
倍數: 1

85 ps 4 A Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36預期2026/8/25
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
269預期2026/12/28
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V
41預期2026/9/11
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 10 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
1,755預期2026/10/16
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
471預期2026/8/28
最少: 1
倍數: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
395預期2026/8/31
最少: 1
倍數: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tray
270預期2026/9/29
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM
384預期2026/10/5
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray

ISSI SRAM 1M (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
963預期2026/10/16
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray