Module 半導體

結果: 134
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT 1700V 3600A 25庫存量
30預期2026/9/28
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor MOSFET模組 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module 44庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4

Wolfspeed 離散半導體模組 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module 81庫存量
最少: 1
倍數: 1

Crydom 離散半導體模組 DIODE MODULE 240VAC 90ADC 600VP 30庫存量
最少: 1
倍數: 1

Crydom 離散半導體模組 100A 600V SCR CC MODULE POWER 12庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT Module 50A 600V 239庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies IGBT 模組 HYBRID PACK DRIVE 9庫存量
最少: 1
倍數: 1

Microchip Technology 閘極驅動器 RF MOSFET (VDMOS) Half-Bridge Hybrid 500 V 1700 W 30 MHz T4 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

Crydom 二極管模組 DIODE MODULE 240VAC 60ADC 600VP 40庫存量
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor MOSFET模組 300A SiC Power Module 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

MACOM RF混合器 LO 5-750MHz IF DC-500MHz 10庫存量
最少: 1
倍數: 1
ROHM Semiconductor MOSFET模組 576A 1200V HALF BRIDGE SIC 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

Crydom 離散半導體模組 SCR/DIODE MODULE 250VAC 25ADC 600VP 13庫存量
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor 離散半導體模組 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor MOSFET模組 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor MOSFET模組 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor MOSFET模組 Mod: 1200V 180A (no Diode) 2庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 100 A booster IGBT module 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

Crydom 離散半導體模組 MOD DIODE 40A 120VAC 9庫存量
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor MOSFET模組 SIC Pwr Module Half Bridge 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor MOSFET模組 358A 1200V HALF BRIDGE SIC 2庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 100 A booster IGBT module 30庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies MOSFET模組 HYBRID PACK DRIVE G2 SIC 24庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1200 A dual IGBT module 24庫存量
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module
15庫存量
最少: 1
倍數: 1