250 MHz DRAM

結果: 10
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
6,439庫存量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Winbond DRAM 64Mb HyperRAM x8, 250MHz 1,970庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

64 Mbit 250 MHz BGA-24 6 M x 8 Reel, Cut Tape
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
4,703預期2026/9/9
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Winbond W958S6NBJX4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NBPA4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NMPA4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S6NBJX4I
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S8NMPA4I
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480預期2027/2/19
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray