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ON Semiconductor 單閘N和P通道功率MOSFET
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ON Semiconductor單閘N和P通道功率MOSFET具備小腳位的精巧設計,低R
DS(on)
以將導電耗損減至最低;低Q
G
及電容,將驅動耗損減至最低。ON Semiconductor單閘N和P通道功率MOSFET無鉛,適合需要符合AEC−Q101認證要求的工廠及變更控制的汽車及其他應用。
特點
Small footprint
Low R
DS(on)
Low Q
G
Low capacitance
Lead−free devices
規格
60V
DS
drain-source breakdown voltage
52mΩ R
DS(on)
drain-source resistance
14A continuous drain current
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