SCTW35N65G2VAG

Name: STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW35N65G2VAG
Price: 406.3 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-SCTW35N65G2VAG

製造商編號：

SCTW35N65G2VAG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2

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規格書:

SCTW35N65G2VAG 規格書 (PDF)

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NT$-.--

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NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$406.30	NT$406.30
	NT$303.28	NT$3,032.80
	NT$289.34	NT$28,934.00
	NT$254.32	NT$152,592.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	HiP-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	45 A
Rds On - 漏-源電阻:	67 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5 V
Qg - 閘極充電:	73 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 200 C
Pd - 功率消耗 :	240 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
品牌:	STMicroelectronics
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
技術:	SiC
每件重量:	4.500 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SCTW35N65G2VAG 規格書 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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