碳化矽MOSFET

碳化矽MOSFET
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結果: 1,337
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
規格書
227庫存量
1,500預期2026/8/26
最少： 1
倍數： 1
: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SiC MOSFET, 750 V
規格書
344庫存量
240預期2027/5/31
最少： 1
倍數： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
規格書
56庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
264庫存量
750預期2026/7/15
最少： 1
倍數： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
規格書
17庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 129 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
54庫存量
1,000預期2026/7/21
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
80庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
規格書
15庫存量
240在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 85 A 20 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
規格書
255庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
47庫存量
1,000預期2026/7/21
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
167庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
規格書
35庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
規格書
162庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
規格書
35庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 93 A 32 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 318 W Enhancement CoolSiC
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
266庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
規格書
2,235庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
1,285庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
規格書
871庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263
規格書
1,088庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
290庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
規格書
947庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 20
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
規格書
1,127庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
規格書
521庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement