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IMBG75R040M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG75R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG75R040M2HXTM
Price: 301.92 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-IMBG75R040M2HXTM

製造商編號：

IMBG75R040M2HXTMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IMBG75R040M2HXTMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$301.92	NT$301.92
	NT$219.64	NT$2,196.40
	NT$182.92	NT$18,292.00
	NT$162.86	NT$81,430.00
完整捲（訂購多個1000）
	NT$145.18	NT$145,180.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Id - C連續漏極電流:	42 A
Rds On - 漏-源電阻:	50 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 7 V, 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.6 V
Qg - 閘極充電:	30 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	156 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolSiC
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降時間:	6 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	SiC MOSFET
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	7 ns
系列:	CoolSiC G2
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	17 ns
標準開啟延遲時間:	8 ns
零件號別名:	IMBG75R040M2H SP006098933

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所選屬性: 0

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規格書

IMBG75R040M2HXTMA1 規格書 (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.