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UJ4SC075018B7S

Name: onsemi UJ4SC075018B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4SC075018B7S
Price: 722.84 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

431-UJ4SC075018B7S

製造商編號：

UJ4SC075018B7S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7

規格書:

UJ4SC075018B7S 規格書

ECAD模型:

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NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$722.84	NT$722.84
	NT$519.86	NT$5,198.60
	NT$508.64	NT$50,864.00
完整捲（訂購多個800）
	NT$474.98	NT$379,984.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Id - C連續漏極電流:	72 A
Rds On - 漏-源電阻:	18 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	6 V
Qg - 閘極充電:	37.8 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	259 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	SiC FET
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	17.6 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	23 ns
系列:	UJ4SC
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	136 ns
標準開啟延遲時間:	13 ns

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規格書

UJ4SC075018B7S 規格書

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

D2PAK-7L封裝的750V UJ4C/SC SiC FET

UnitedSiC / Qorvo 750V UJ4C/SC SiC FET採用D2PAK-7L封裝，具有9mΩ至60mΩ的多個導通電阻選項。利用一種獨特的共射共基放大器SiC FET技術，其中一個常用SiC JFET與Si MOSFET協同封裝，以產生常斷SiC FET，這些裝置提供一流的R_DS x品質因數，從而在小鑄件中實現最低的傳導損耗。D2 PAK-7L封裝透過小巧的內部連接迴路提供較低的電感，以及隨附的Kelvin源連接，實現較低的開關損耗，實現更高的頻率運行和更高的系統功率密度。五個並行溝槽翼源連接允許低電感和高電流使用。銀質貼片實現極低的熱阻，可用於標準PCB和具有液體冷卻的IMS基板上的最大熱提取。這些SiC FET提供低體二極管、超低柵極電荷及4.8V閾值電壓，允許0V至15V驅動。FET的標準柵極驅動特性，允許對Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結裝置進行真正的「直接插入替換」。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are a high-performance series delivering industry-best performance Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speed, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can significantly enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.