IXSA20N120L2-7TR

IXYS
747-IXSA20N120L2-7TR
IXSA20N120L2-7TR

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 76

庫存：
76
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在途量:
800
預期2026/2/16
工廠前置作業時間：
27
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個800）

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
NT$210.12 NT$210.12
NT$161.16 NT$1,611.60
NT$130.22 NT$13,022.00
NT$115.60 NT$57,800.00
完整捲（訂購多個800）
NT$98.94 NT$79,152.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
20 A
208 mOhms
- 5 V, 20 V
4.5 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 13 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 10.4 ns
系列: IXSxNxL2Kx
原廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 7 ns
標準開啟延遲時間: 2.4 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

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