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IXSH60N65L2KHV

Name: IXYS IXSH60N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH60N65L2KHV
Price: 307.7 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

747-IXSH60N65L2KHV

製造商編號：

IXSH60N65L2KHV

製造商：

IXYS

說明：

碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IXSH60N65L2KHV 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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庫存量: 100

庫存：: 100

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在途量:: 450

預期2026/3/23
工廠前置作業時間：: 27

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$307.70	NT$307.70
	NT$228.82	NT$2,288.20
	NT$190.74	NT$19,074.00
	NT$170.00	NT$76,500.00
	NT$151.30	NT$136,170.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	IXYS
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	60 A
Rds On - 漏-源電阻:	53 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.5 V
Qg - 閘極充電:	94.7 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	249 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	IXYS
配置:	Single
下降時間:	8.4 ns
封裝:	Tube
產品:	SiC MOSFETS
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	15.8 ns
系列:	IXSxNxL2Kx
原廠包裝數量:	450
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	17.9 ns
標準開啟延遲時間:	7.9 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IXSH60N65L2KHV 規格書 (PDF)

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IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).