IMLT65R026M2HXTMA1

Name: Infineon IMLT65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMLT65R026M2HXTM
Price: 385.56 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IMLT65R026M2HXTM

製造商編號：

IMLT65R026M2HXTMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IMLT65R026M2HXTMA1 規格書 (PDF)

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庫存量: 473

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$385.56	NT$385.56
	NT$281.18	NT$2,811.80
	NT$235.28	NT$23,528.00
	NT$220.32	NT$110,160.00
	NT$208.42	NT$208,420.00
完整捲（訂購多個1800）
	NT$208.42	NT$375,156.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	82 A
Rds On - 漏-源電阻:	33 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.6 V
Qg - 閘極充電:	42 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	365 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolSiC
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
組裝國家:	MY
擴散國:	AT
原產國:	AT
下降時間:	5.1 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	MOSFETs
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	10.1 ns
系列:	650V G2
原廠包裝數量:	1800
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	SiC MOSFET
標準斷開延遲時間:	16 ns
標準開啟延遲時間:	9.3 ns
零件號別名:	IMLT65R026M2H SP005969467

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所選屬性: 0

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規格書

IMLT65R026M2HXTMA1 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率，這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站，可比前一代產品減少10%的功率損耗，同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。