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MSC040SMA120S

Name: Microchip MSC040SMA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC040SMA120S
Price: 900.91 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

494-MSC040SMA120S

製造商編號：

MSC040SMA120S

製造商：

Microchip Technology

說明：

碳化矽MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268

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規格書:

MSC040SMA120S 規格書 (PDF)

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$900.91	NT$900.91
	NT$831.00	NT$8,310.00
	NT$703.02	NT$21,090.60
	NT$674.70	NT$80,964.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Microchip
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D3PAK-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	64 A
Rds On - 漏-源電阻:	50 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.8 V
Qg - 閘極充電:	137 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	303 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	Microchip Technology
配置:	Single
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
每件重量:	6.200 g

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所選屬性: 0

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規格書

MSC040SMA120S 規格書 (PDF)

DTS

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

碳化矽(SiC) MOSFET

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Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.