似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

MSC060SMA070S

Name: Microchip MSC060SMA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC060SMA070S
Price: 216.89 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

494-MSC060SMA070S

製造商編號：

MSC060SMA070S

製造商：

Microchip Technology

說明：

碳化矽MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268

在開發工具選取器中檢視

規格書:

MSC060SMA070S 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Microchip Technology MSC060SMA070S的資訊

庫存量: 101

庫存：: 101 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 13 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$216.89	NT$216.89
	NT$200.04	NT$2,000.40
	NT$193.59	NT$23,230.80
	NT$191.08	NT$51,591.60
	NT$190.72	NT$97,267.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Microchip
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D3PAK-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	700 V
Id - C連續漏極電流:	37 A
Rds On - 漏-源電阻:	69 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.9 V
Qg - 閘極充電:	56 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	130 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	Microchip Technology
配置:	Single
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
每件重量:	6.200 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

MSC060SMA070S 規格書 (PDF)

DTS

在開發工具選取器中檢視

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

碳化矽(SiC) MOSFET

與傳統的矽(Si)功率MOSFET相比，Microsemi/Microchip碳化矽(SiC) MOSFET具有良好的動態及熱性能。這些MOSFET具有低電容、低閘極電荷、快速開關速度及良好的高雪崩耐受性。碳化矽MOSFET能夠在175°C的高結溫下穩定工作。這些MOSFET提供高效率及低開關損耗。這些碳化矽MOSFET無需任何續流二極體，可降低系統成本。典型應用包括智能電網輸配電、感應加熱及焊接、供電及配電。