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SCT011HU75G3AG

Name: STMicroelectronics SCT011HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT011HU75G3AG
Price: 850.34 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-SCT011HU75G3AG

製造商編號：

SCT011HU75G3AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

SCT011HU75G3AG 規格書 (PDF)

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庫存量: 266

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$850.34	NT$850.34
	NT$624.92	NT$6,249.20
	NT$624.58	NT$62,458.00
完整捲（訂購多個600）
	NT$583.44	NT$350,064.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	HU3PAK-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Id - C連續漏極電流:	110 A
Rds On - 漏-源電阻:	15 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.2 V
Qg - 閘極充電:	154 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	652 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	JP
下降時間:	9 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	SiC MOSFETS
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	11 ns
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	42 ns
標準開啟延遲時間:	23 ns

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所選屬性: 0

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規格書

SCT011HU75G3AG 規格書 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.