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SCT012H90G3AG

Name: STMicroelectronics SCT012H90G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT012H90G3AG
Price: 789.06 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-SCT012H90G3AG

製造商編號：

SCT012H90G3AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

完成您的設計

規格書:

SCT012H90G3AG 規格書 (PDF)

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$789.06	NT$789.06
	NT$566.07	NT$5,660.70
	NT$514.09	NT$51,409.00
	NT$513.73	NT$256,865.00
完整捲（訂購多個1000）
	NT$486.48	NT$486,480.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	H2PAK-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	900 V
Id - C連續漏極電流:	110 A
Rds On - 漏-源電阻:	12 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.2 V
Qg - 閘極充電:	138 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	625 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	30 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	MOSFETs
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	47 ns
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	silicon carbide Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	82 ns
標準開啟延遲時間:	37 ns

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所選屬性: 0

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規格書

SCT012H90G3AG 規格書 (PDF)

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合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 義大利
封裝原產國:: 義大利
擴散國:: 無資料

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