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SCT027W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027W65G3-4AG
Price: 593.68 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-SCT027W65G3-4AG

製造商編號：

SCT027W65G3-4AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

完成您的設計

規格書:

SCT027W65G3-4AG 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$593.68	NT$593.68
	NT$453.14	NT$4,531.40
	NT$314.76	NT$31,476.00
	NT$267.80	NT$160,680.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	HiP-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	60 A
Rds On - 漏-源電阻:	29 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.2 V
Qg - 閘極充電:	51 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 200 C
Pd - 功率消耗 :	313 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q100
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	17 ns
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	8 ns
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	31 ns
標準開啟延遲時間:	17 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SCT027W65G3-4AG 規格書 (PDF)

PCN

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.