SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT027W65G3-4AG
SCT027W65G3-4AG

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$438.94 NT$438.94
NT$328.10 NT$3,281.00
NT$283.56 NT$28,356.00
NT$219.30 NT$131,580.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
60 A
29 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
51 nC
- 55 C
+ 200 C
313 W
Enhancement
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 17 ns
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 8 ns
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 31 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

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