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STGP7H60DF

Name: STMicroelectronics STGP7H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP7H60DF
Price: 69.55 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

511-STGP7H60DF

製造商編號：

STGP7H60DF

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

完成您的設計

規格書:

STGP7H60DF 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$69.55	NT$69.55
	NT$33.27	NT$332.70
	NT$29.72	NT$2,972.00
	NT$23.52	NT$11,760.00
	NT$21.47	NT$21,470.00
	NT$19.79	NT$39,580.00
	NT$19.00	NT$95,000.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-220-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	600 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.95 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	14 A
Pd - 功率消耗 :	88 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STGP7H60DF
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	14 A
柵射極漏電電流:	250 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	1000
子類別:	IGBTs
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STGP7H60DF 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.