NVH4L025N065SC1

onsemi
863-NVH4L025N065SC1
NVH4L025N065SC1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$760.58 NT$760.58
NT$640.22 NT$6,402.20
NT$591.94 NT$71,032.80
1,020 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 8 ns
互導 - 最小值: 27 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 19 ns
系列: NVH4L025N065SC1
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 32 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

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