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UF3SC120016K3S

Name: onsemi UF3SC120016K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120016K3S
Price: 1918.96 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

431-UF3SC120016K3S

製造商編號：

UF3SC120016K3S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-3

規格書:

UF3SC120016K3S 規格書

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,918.96	NT$1,918.96
	NT$1,406.92	NT$14,069.20
	NT$1,406.58	NT$168,789.60

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	107 A
Rds On - 漏-源電阻:	21 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	218 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	517 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	SiC FET
品牌:	onsemi
配置:	Single
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
系列:	UF3SC
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

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規格書

UF3SC120016K3S 規格書

Models

UF3SC120016K3S SPICE (文字)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

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UF3SC高效能SiC FET

UnitedSiC UF3SC高效能SiC FET是首個具有RDS_(on)低於10M Ω的SiC FET裝置，可實現快速切換速度和更低的開關損耗。這基於一種獨特的「共源共柵」電路配置，並具有超低柵極電荷。「共源共柵」配置採用常開 (normally-on) SiC JFET，它與Si MOSFET共同封裝，以構建出常關 (normally-off) SiC FET裝置。UF3SC FET具有標準閘極驅動特性，允許「直接替換」Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結裝置。這些SiC FET包括低本質電容和卓越的反向恢復功能。UF3SC FET以-55°C至+175°C溫度範圍及-20V至+ 20V閘源電壓範圍運行。這些SiC FET理想適用於電動汽車充電、光伏逆變器、電機驅動器、開關模式電源、功率因素校正模組及感應加熱領域。