LSIC1MO120E0080

IXYS
576-LSICMO120E0080
LSIC1MO120E0080

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於IXYS LSIC1MO120E0080的資訊

庫存量: 4,196

庫存：
4,196 可立即送貨
工廠前置作業時間：
29 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$640.90 NT$640.90
NT$455.60 NT$4,556.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
39 A
80 mOhms
- 5 V, + 20 V
2.8 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
179 W
Enhancement
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 6 ns
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 10 ns
系列: LSIC1MO
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 16 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

SiC MOSFET

Littelfuse SiC MOSFET專為高頻、高效應用最佳化。這些耐用的SiC MOSFET採用TO-247-3L封裝，擁有超低導通電阻。Littelfuse提供內部設計、開發及製造的SiC MOSFET，這些裝置具備極低的閘極電荷與輸出電容，所有溫度範圍下均提供領先業界的效能與耐用性，且具備超低的導通電阻。現在提供1200V、120和160毫歐版本。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。