DIF120SIC028

Name: Diotec Semiconductor DIF120SIC028
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIF120SIC028
Price: 1944.12 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

637-DIF120SIC028

製造商編號：

DIF120SIC028

製造商：

Diotec Semiconductor

說明：

碳化矽MOSFET

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

DIF120SIC028 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,944.12	NT$1,944.12
	NT$1,520.14	NT$15,201.40
	NT$911.54	NT$109,384.80
510	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Diotec Semiconductor
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	118 A
Rds On - 漏-源電阻:	28 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	373 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	715 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	DIF120SIC028
品牌:	Diotec Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	49 ns
互導 - 最小值:	45 S
產品:	MOSFETs
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	104 ns
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	156 ns
標準開啟延遲時間:	156 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

DIF120SIC028 規格書 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.