IMYH200R050M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMYH200R050M1HXK
IMYH200R050M1HXKSA1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 10

庫存：
10
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720
預期2026/3/12
720
預期2026/8/20
工廠前置作業時間：
26
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$734.74 NT$734.74
NT$541.28 NT$5,412.80
NT$517.48 NT$51,748.00
NT$501.16 NT$240,556.80

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
48 A
64 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
82 nC
- 55 C
+ 150 C
348 W
Enhancement
CoolSIC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 12 ns
互導 - 最小值: 10 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 9 ns
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 36 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
零件號別名: IMYH200R050M1H SP005427372
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.

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