IMYH200R075M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMYH200R075M1HXK
IMYH200R075M1HXKSA1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 283

庫存：
283
可立即送貨
在途量:
480
預期2026/12/10
工廠前置作業時間：
26
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$625.94 NT$625.94
NT$515.10 NT$5,151.00
NT$445.40 NT$44,540.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
34 A
98 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
267 W
Enhancement
CoolSIC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 7 ns
互導 - 最小值: 6.5 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 26 ns
標準開啟延遲時間: 7 ns
零件號別名: IMYH200R075M1H SP005427374
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.

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