IMYH200R100M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMYH200R100M1HXK
IMYH200R100M1HXKSA1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於Infineon Technologies IMYH200R100M1HXKSA1的資訊

供貨情況

庫存：
0

您仍可購買此商品作為延期交貨訂單。

在途量:
4,353
預期2026/7/2
工廠前置作業時間：
26
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$529.38 NT$529.38
NT$390.66 NT$3,906.60
NT$344.42 NT$34,442.00
NT$343.06 NT$164,668.80
1,200 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
26 A
131 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
217 W
Enhancement
CoolSIC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 5 ns
互導 - 最小值: 5 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 3 ns
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 21 ns
標準開啟延遲時間: 2 ns
零件號別名: IMYH200R100M1H SP005427376
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。