IXSH65N120L2KHV

IXYS
747-IXSH65N120L2KHV
IXSH65N120L2KHV

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 100

庫存：
100
可立即送貨
在途量:
450
預期2026/6/2
工廠前置作業時間：
27
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$340.68 NT$340.68
NT$258.40 NT$2,584.00
NT$215.22 NT$21,522.00
完整捲（訂購多個450）
NT$191.76 NT$86,292.00
NT$171.02 NT$153,918.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
65 A
52 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 10.5 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 22.1 ns
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 19.3 ns
標準開啟延遲時間: 9.6 ns
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所選屬性: 0

規格書

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IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

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