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SCT4013DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DLLTRDC
Price: 1158.04 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

755-SCT4013DLLTRDC

製造商編號：

SCT4013DLLTRDC

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

碳化矽MOSFET TOLL 750V 120A SIC

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

SCT4013DLLTRDC 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,158.04	NT$1,158.04
	NT$885.36	NT$8,853.60
	NT$796.96	NT$79,696.00
完整捲（訂購多個2000）
	NT$753.44	NT$1,506,880.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	碳化矽MOSFET
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TOLL-9
晶體管極性:	N Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Id - C連續漏極電流:	120 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.8 V
Qg - 閘極充電:	170 nC
最高工作溫度:	+ 175 V
Pd - 功率消耗 :	405 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	17 ns
互導 - 最小值:	32 S
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	SiC MOSFET
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	32 ns
原廠包裝數量:	2000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	17 ns
標準開啟延遲時間:	82 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SCT4013DLLTRDC 規格書 (PDF)

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.