SCT4026DEC11

ROHM Semiconductor
755-SCT4026DEC11
SCT4026DEC11

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$673.54 NT$673.54
NT$421.60 NT$4,216.00
NT$420.24 NT$42,024.00
NT$419.22 NT$188,649.00
5,400 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
N-Channel
1 Channel
750 V
56 A
26 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
94 nC
+ 175 C
176 W
Enhancement
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 16 nC
互導 - 最小值: 16 S
封裝: Tube
產品: MOSFET's
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 39 nC
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 44 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
零件號別名: SCT4026DE
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所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

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