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UF3C120040K4S

Name: onsemi UF3C120040K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C120040K4S
Price: 942.82 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

431-UF3C120040K4S

製造商編號：

UF3C120040K4S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

規格書:

UF3C120040K4S 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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瞭解更多關於onsemi UF3C120040K4S的資訊

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最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$942.82	NT$942.82
	NT$609.96	NT$6,099.60
	NT$581.74	NT$58,174.00
3,000	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	65 A
Rds On - 漏-源電阻:	45 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	51 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	429 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	SiC FET
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	10 ns
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	27 ns
系列:	UF3C
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	50 ns
標準開啟延遲時間:	24 ns
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

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規格書

UF3C120040K4S 規格書

Models

SPICE Model/UF3C120040K4S (文字)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.